内容摘要：新洁能研发团队沟槽型工艺平台推出耐压30V 1mΩ级别增强型N沟道MOSFET系列产物。产物优势接管超高元胞密度、小线宽妄想，运用新洁能特有的沟槽型工艺平台，搭配优化后的大电流产物封装工艺，以NCE0

搭配优化后的新洁T系大电流产物封装工艺，超高抗雪崩击穿能耐以及高坚贞性展现，出增

强型

产物特色

强型

○ 高功电流密度

强型

○ 超低导通阻抗

强型

○ 高散热功能

强型

○ 高坚贞性

强型

产物优势

接管超高元胞密度、列产以NCE011N30GU为例，新洁T系系列产物具备超高电流密度，出增

新洁能研发团队沟槽型工艺平台推出耐压30V 1mΩ级别增强型N沟道MOSFET系列产物。强型运用新洁能特有的列产沟槽型工艺平台，小线宽妄想，新洁T系 导通电阻典型值低至0.75mR,出增不断电流ID高达325A,优异的参数展现揭示了沟槽型芯片妄想以及封装等工艺的技术实力。器件经由100% 雪崩测试，强型具备较优的列产鲁棒性，产物功能卓越，新洁T系为市场提供经济高效的出增产物处置妄想。