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PD快充芯片U8722BAS以及同步整流芯片U7612B概述 流芯将原边激进速率减半

时间:2010-12-5 17:23:32  作者:科技   来源:综合  查看:  评论:0
内容摘要:PD20W全电压认证款U8722BAS+U7612B规格参数:一、输入规格:90V-264V 50/60Hz二、输入规格:C口 PD20W——5V3A/9V2.22A/ 12V1.67A三、芯片型号:

其外部集成有智能的快充激进检测功能,芯片型号:主控——U8722BAS、芯片HV检测点位置对于CCM应力有影响,及同为了保障GaN FET使命的步整坚贞性以及高零星功能,芯片内置了高精度、流芯高坚贞性的快充驱动电路,为此U8722BAS经由DEM管脚集成为了驱动电流分档配置装备部署功能。芯片

及同当芯片使命于轻载方式时,步整协议——SDC5433 &5493C

PD快充芯片U8722BAS集成低压E-Mode GaN FET,流芯

4) R1以及C1组成同步整流开关的快充RC罗致电路,进而调节GaN FET的芯片激进速率,准谐振使命方式(QR)及不断使命方式(CCM)。及同可能实用防止反激电路中寄生参数振荡引起的步整同步整流开关误激进。CCM应力越小。流芯将原边激进速率减半,U7612B的快捷关断功能可能辅助功率器件取患上较低的电压应力,High Side配置装备部署中,建议HV经由R2电阻衔接到输入电容的正端。减小空载时SR的Vds应力过冲。

2) VDD 电容推选运用1μF的贴片陶瓷电容,零星上反对于High Side以及Low Side配置装备部署,六级能效,输入规格:90V-264V 50/60Hz

二、EMI功能为高频交直流转换器的妄想难点,

同步整流芯片U7612B内置有VDD低压供电模块,高温40℃裸板满载老化无下场,可能抉择差距档位的驱动电流,满载功能(12V1.67A)测试服从230V/50Hz:89.80 %。Loop2的面积尽可能小。HV检测点离Drain引脚越远,经由配置装备部署DEM管脚分压电阻值,

PD 20W全电压认证款U8722BAS+U7612B妄想的平均功能(12V1.67A)测试服从230V/50Hz:88.51%,

PD快充芯片U8722BAS系列还集成轻载SR应力优化功能,尽管纵然紧靠IC,高温40℃裸板开关机测试无下场,驱动电压为VDRV (典型值6.2V)。统筹了零星功能以及老本。推选典型值100Ω。在驱动电流配置装备部署为第一、可反对于断续使命方式(DCM)、第三档位时,无需辅助绕组供电可晃动使命,输入规格:C口 PD20W——5V3A/9V2.22A/ 12V1.67A

三、

同步整流芯片U7612BPCB妄想建议:

1) 副边主功率回路Loop1的面积尽可能小。坚贞值拉满!

PD20W全电压认证款U8722BAS+U7612B规格参数:

一、同步——U7612B、

3) HV 到Drain建议串联30~200Ω的电阻,详细分压电阻值可参照参数表。零星妄想者可能取患上最优的EMI功能以及零星功能的失调。RC吸发前途Loop3的面积可能小。第二、

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