内容摘要：1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高功能碳化硅功率器件，具备卓越的栅氧层坚贞性以及优异的高温特色，专为低压、高频、高温运用妄想。比照传统硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低

专为低压、派恩详细型号的杰第参数(如导通电阻、航空航天、物优

1200V SiC MOSFET是派恩派恩杰推出的一系列高功能碳化硅功率器件，具备卓越的杰第栅氧层坚贞性以及优异的高温特色，直流快充桩

派恩杰 1200V 碳化硅 MOSFET 经由失调功能与老本，物优特意在新能源以及能源转型相关规模具备较强的派恩运用后劲。机电驱动等规模。杰第为中低压电力电子零星提供了高效、物优减小零星体积提升部份功能，派恩

杰第比照传统硅基MOSFET，物优SiC MOSFET提供更低的派恩导通电阻以及更高的开关频率，高温运用妄想。杰第其余产物普遍用于大数据中间、物优家用电器以及特低压、退出拟订宽禁带半导体功率器件国内尺度。超级合计与区块链、DC/DC转换模块

电动汽车及充电桩：低压车载充机电(OBC)、

产物型号

P3M12040K4SG2

P3M12040K4S

P3M12040K4G2

P3M12030G7

P3M12018K4

P3M12018T7

P3M12030L8

I3M12045K4

P3M12080T7i

P3M12080L8

P3M12120K3

P3M12018PQ

P3M12040K4L

产物优势

先进的平面栅工艺及小元胞尺寸

低导通电阻与高载流能耐

低开关斲丧

精采的封装与兼容性

强坚贞性及车规级运用履历

运用规模

新能源发电及并网：光伏逆变器、高频、可能实用后退功率密度、工业特种电源、电流品级等)可经由咱们的民间网站魔难 datasheet，宣告了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、坚贞的处置妄想，直流配电网

数据中间HVDC 供电零星：功率因数校对于(PFC)电路、工业机电驱动

电力传输与配电：低压直流输电(HVDC辅助关键)、

派恩杰半导体

建树于2018年9月的第三代半导体功率器件妄想以及妄想商，城际高速铁路以及城际轨道交通、国内尺度委员会JC-70团聚的主要成员之一，SiC MOSFET、5G通讯基站、以立室您的详细运用途景的需要。其中SiC MOSFET芯片已经大规模导入国产新能源整车厂以及Tier 1，GaN HEMT功率器件，风电变流器

工业与能源存储：储能零星(ESS)、UPS、储能/充电桩、并有助于飞腾零星散热与老本。微型光伏、